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STGB15H60DF
数量
10
封装规格
STMICROELECTRONICS/意法半导体
产品批号
最新
包装数量
原厂包装
包装方式
编带
IGBT类型：
沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：
600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：
30A
脉冲电流-集电极(Icm)：
60A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）：
2V @ 15V，15A
功率-最大值：
115W
开关能量：
136µJ（开），207µJ（关）
输入类型：
标准
栅极电荷：
81nC
25°C时Td（开/关）值：
24.5ns/118ns
测试条件：
400V，15A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：
103ns
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
D2PAK
栅极/发射极最大电压：
± 20 V
栅极—射极漏泄电流：
250 nA
系列：
STGB15H60DF
配置：
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.6 V
功率耗散：
115 W
在25 C的连续集电极电流：
30 A
安装风格：
SMD/SMT
最大工作温度：
+ 175 C
最小工作温度：
- 55 C
无铅情况/RoHs：
否
生命周期
在售
描述
STGB15H60DF STMICROELECTRONICS原装现货库存：10
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