全部商品分类
STGWT40HP65FB
数量
98
封装规格
STMICROELECTRONICS/意法半导体
产品批号
最新
包装数量
原厂包装
包装方式
编带
制造商:
STMicroelectronics
产品种类:
IGBT 晶体管
RoHS:
是
技术:
Si
封装 / 箱体:
TO-3P-3
安装风格:
Through Hole
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
650 V
集电极—射极饱和电压:
1.6 V
栅极/发射极最大电压:
30 V
在25 C的连续集电极电流:
80 A
Pd-功率耗散:
283 W
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
系列:
STGWT40HP65FB
集电极最大连续电流 Ic:
80 A
商标:
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流:
+/- 250 nA
产品类型:
IGBT Transistors
工厂包装数量:
300
子类别:
IGBTs
单位重量:
5.500 g
生命周期
在售
描述
STGWT40HP65FB STMICROELECTRONICS原装现货库存：98
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