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STW9NK95Z
数量
10
封装规格
STMICROELECTRONICS/意法半导体
产品批号
最新
包装数量
原厂包装
包装方式
编带
FET 类型：
N 沟道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
950V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
56nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
2256pF @ 25V
功率耗散（最大值）：
160W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
1.38 欧姆 @ 3.6A，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-247
封装/外壳：
TO-247-3
无铅情况/RoHs：
无铅/符合RoHs
生命周期
在售
描述
STW9NK95Z STMICROELECTRONICS原装现货库存：10
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